文/陳昊星
在北京中關(guān)村科貿(mào)電子城做了多年電腦配件生意的侯瑩，最近明顯感到“生意不如從前好做了”。
作為電腦核心配件的內(nèi)存條價(jià)格近月來(lái)持續(xù)走高。近一個(gè)多月來(lái)，32G DDR4型號(hào)的價(jià)格從350元飆升至850元，DDR5同規(guī)格產(chǎn)品更是從550元暴漲至1600元，讓商家陷入“報(bào)價(jià)兩難”的困境。
全球科技產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈分析平臺(tái)DigiTimes統(tǒng)計(jì)也顯示，9月底至11月，內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格出現(xiàn)較大幅度上漲，DDR416G(2Gx8)單月漲幅逾九成，DDR516G單月漲幅則高達(dá)102%，漲幅遠(yuǎn)超同期黃金。
“根本沒(méi)法跟客戶報(bào)價(jià)，報(bào)低了立刻虧本，報(bào)高了客戶又覺(jué)得我們?cè)诳尤恕！焙瞵撜f(shuō)。
內(nèi)存條價(jià)格為什么飆得比黃金還猛？
供需失衡已達(dá)臨界點(diǎn)
目前，內(nèi)存條市場(chǎng)需求猛增，供給卻主動(dòng)收緊。一方面，數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域?qū)?nèi)存的需求持續(xù)增加；另一方面，三大存儲(chǔ)顆粒巨頭陸續(xù)公布了內(nèi)存產(chǎn)品的停產(chǎn)計(jì)劃。
花旗報(bào)告指出，到2026年，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)將面臨供不應(yīng)求的局面。預(yù)計(jì)2026年DRAM需求量同比將增長(zhǎng)約20.1%，而供給僅增長(zhǎng)約17.5%，供需差距將進(jìn)一步加大。
全球三大存儲(chǔ)顆粒巨頭——三星電子、SK海力士和美光科技自今年年中起，陸續(xù)公布了舊一代DDR4和LPDDR4內(nèi)存產(chǎn)品的停產(chǎn)計(jì)劃，這進(jìn)一步加劇了內(nèi)存條市場(chǎng)緊缺。
不僅是內(nèi)存市場(chǎng)，整個(gè)存儲(chǔ)芯片行業(yè)都面臨緊張局面。
瑞銀11月初發(fā)布的最新行業(yè)調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，存儲(chǔ)芯片行業(yè)正進(jìn)入一個(gè)“嚴(yán)重短缺”的時(shí)期，強(qiáng)勁的需求與有限的產(chǎn)能擴(kuò)張共同推動(dòng)DRAM的價(jià)格進(jìn)入強(qiáng)勁上行周期；2025年第四季度的DDR(雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)內(nèi)存合同價(jià)格也預(yù)計(jì)環(huán)比漲幅將超過(guò)21%。
南開(kāi)大學(xué)金融發(fā)展研究院院長(zhǎng)田利輝在接受中新社國(guó)是直通車(chē)采訪時(shí)指出，目前存儲(chǔ)市場(chǎng)的供需失衡已經(jīng)到了臨界點(diǎn)。三星3nm工廠出現(xiàn)故障，加上SK海力士等巨頭減產(chǎn)，使全球DRAM庫(kù)存驟降。同時(shí)，三大廠商將主要產(chǎn)能轉(zhuǎn)向利潤(rùn)更高的HBM(高帶寬內(nèi)存)和DDR5，進(jìn)一步加劇了消費(fèi)級(jí)內(nèi)存的短缺。
田利輝說(shuō)，AI的爆發(fā)性需求正在重塑產(chǎn)業(yè)格局。存儲(chǔ)行業(yè)正從以往的周期性波動(dòng)，轉(zhuǎn)向“技術(shù)驅(qū)動(dòng)+AI需求”的雙輪驅(qū)動(dòng)模式。云計(jì)算巨頭提前鎖定未來(lái)三年的產(chǎn)能，而HBM產(chǎn)能的優(yōu)先投入，也擠占了消費(fèi)級(jí)內(nèi)存供應(yīng)。可以說(shuō)，內(nèi)存價(jià)格的大幅上漲，是AI需求爆發(fā)與產(chǎn)能供給不足相互碰撞的必然結(jié)果。
達(dá)睿咨詢創(chuàng)始人馬繼華在接受采訪時(shí)還表示，此次內(nèi)存價(jià)格上漲的原因，除了供需失衡之外，也與芯片產(chǎn)業(yè)面臨的各種制裁和限制密切相關(guān)。這些因素打亂了產(chǎn)業(yè)的投資節(jié)奏，也抑制了產(chǎn)能的增長(zhǎng)，從而推動(dòng)了內(nèi)存市場(chǎng)的緊張局面。
存儲(chǔ)上漲影響日常生活
相比具有避險(xiǎn)屬性的黃金，存儲(chǔ)芯片的漲價(jià)雖然不及黃金那般引人矚目，但它同樣在悄然推高我們?nèi)粘Ｉ钪械牟糠殖杀尽?/p>
馬繼華表示，例如新款手機(jī)、電腦的定價(jià)可能因此變貴，同時(shí)換機(jī)和裝機(jī)成本隨之上升，線上線下配件店的“漲價(jià)潮”也會(huì)快速傳導(dǎo)到消費(fèi)者身上，使設(shè)備升級(jí)變得更貴。
在他看來(lái)，內(nèi)存價(jià)格的大幅上漲必然會(huì)推動(dòng)終端產(chǎn)品成本上升，尤其對(duì)低端手機(jī)、平板和電腦的影響更為明顯，甚至可能在一定程度上抑制消費(fèi)需求。一般來(lái)說(shuō)，內(nèi)存在整機(jī)成本中占比不足10%，但若價(jià)格持續(xù)大漲，成本占比可能提升5-10個(gè)百分點(diǎn)，這也將對(duì)終端廠商的利潤(rùn)構(gòu)成不小壓力。
此外，電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代節(jié)奏也可能因此放緩。關(guān)鍵零部件價(jià)格上漲，會(huì)促使整機(jī)廠商減少高配版本的推出，控制產(chǎn)量，甚至推遲部分新品的上市時(shí)間。這意味著消費(fèi)者將更難以在同樣的價(jià)格區(qū)間內(nèi)買(mǎi)到配置更高的設(shè)備。
與此同時(shí)，游戲玩家也會(huì)受到明顯影響。內(nèi)存和存儲(chǔ)價(jià)格走高不僅會(huì)提高裝機(jī)和升級(jí)成本，還可能影響整機(jī)的性能配置選擇，玩家想提升畫(huà)質(zhì)、幀率或打造高性能主機(jī)，都需要付出比以往更高的預(yù)算。
本土企業(yè)迎來(lái)窗口期
雖然全球存儲(chǔ)市場(chǎng)長(zhǎng)期被三大巨頭掌控，但近年來(lái)，本土存儲(chǔ)企業(yè)的成長(zhǎng)速度正在不斷加快，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局正悄然發(fā)生變化。
中商產(chǎn)業(yè)研究院撰文指出，2025年中國(guó)內(nèi)存企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力體現(xiàn)在技術(shù)突破與全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同能力上，擁有自主晶圓制造能力、高端接口芯片設(shè)計(jì)技術(shù)、先進(jìn)封裝工藝或關(guān)鍵材料供應(yīng)能力的企業(yè)正構(gòu)筑起強(qiáng)大壁壘。
例如，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)是目前國(guó)內(nèi)較為成熟的DRAM廠商，國(guó)內(nèi)唯一實(shí)現(xiàn)通用型DRAM晶圓大規(guī)模量產(chǎn)的企業(yè)，已成功量產(chǎn)19nm DDR5和LPDDR5X產(chǎn)品，良率超95%，在利基市場(chǎng)和車(chē)規(guī)級(jí)領(lǐng)域占比顯著。
兆易創(chuàng)新目前全球NORFlash(非易失性閃存技術(shù))市場(chǎng)前三，國(guó)內(nèi)份額第一，利基型DRAM自研突破LPDDR4/5，車(chē)規(guī)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品通過(guò)特斯拉等頭部車(chē)企認(rèn)證，技術(shù)壁壘和毛利率水平突出。
田利輝直言，此輪內(nèi)存漲價(jià)，實(shí)際上為本土存儲(chǔ)企業(yè)打開(kāi)了一個(gè)難得的戰(zhàn)略窗口期。部分模組廠商已經(jīng)實(shí)現(xiàn)快速扭虧，本土替代進(jìn)程也在明顯加速。
他認(rèn)為，目前一些本土存儲(chǔ)企業(yè)已具備國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力，本應(yīng)在這一輪周期中實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展。隨著國(guó)內(nèi)云廠商加大資本投入，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)正從以性價(jià)比為主的競(jìng)爭(zhēng)模式，轉(zhuǎn)向以技術(shù)創(chuàng)新為核心，這也為本土企業(yè)突破國(guó)際壟斷、實(shí)現(xiàn)技術(shù)躍升創(chuàng)造了歷史性機(jī)遇。 【編輯:黃鈺涵】
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